真空退火爐是在半導體元器件出產制造中選用的一種加工工藝，其包含加溫好幾個半導體芯片芯片以危害其電氣功能。熱處理工藝是關于不一樣的實際效果而制定的。 真空退火爐能夠加溫芯片以激話摻雜劑，將薄膜轉化成薄膜或將薄膜轉換成芯片襯底頁面，使高密度堆積的薄膜，更改生長發育的薄膜的狀況，修補引入的危害，挪動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜遷移到另一個薄膜或從薄膜進到圓晶襯底。退火爐能夠集成化到其他火爐處理過程中，例如空氣氧化，或是能夠自已處理。?
